[发明专利]一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为GaAs_xSb_1-x层和InAs层。与传统的II类超晶格结构相比，其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)原有的四层结构生长模式(InAs/InSb/GaSb/InSb)被两层结构生长模式(InAs/GaAsSb)替代，结构更加简单,更有利于实现高质量超晶格的生长；(3)InAs层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。

主权项

一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构，其结构自下而上依次为GaAs_xSb_1‑x层(1)和InAs层(2)，其特征在于：所述的GaAs_xSb_1‑x层(1)的厚度为2.1nm‑3.6nm，组分x为0.0‑0.5；所述的InAs层(2)的厚度为2.1nm‑10.5nm。