[发明专利]用于测试SRAM周期时间的电路及方法有效
| 申请号： | 201610021194.2 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971761B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张静;方伟;潘劲东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于测试SRAM周期时间的电路及方法，包括连接SRAM的地址循环移位寄存器、数据循环移位寄存器以及控制循环移位寄存器，可利用各个循环移位寄存器中预先配置的初始值和后续输入的时钟脉冲信号，来直接产生下一个测试用的地址信号、数据信号以及控制信号，无需通过复杂的算法和逻辑计算，电路结构简单，测试速度快，能够大大缩短半导体集成电路的整体测试时间；同时循环移位寄存器的设置避免了现有技术中由于SRAM外围的BIST电路先失效而导致测试失误的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 sram 周期 时间 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测试SRAM周期时间的电路，其特征在于，主要由多个循环移位寄存器构成，所述多个循环移位寄存器包括用于向所述SRAM提供测试所需的地址信号的地址循环移位寄存器、用于向所述SRAM提供测试所需的数据信号的数据循环移位寄存器、以及用于向所述SRAM提供测试所需的控制信号的控制循环移位寄存器，每个循环移位寄存器为串入串出的单向循环移位寄存器,均具有串行输入端、串行输出端、时钟脉冲输入端、设置端以及复位端，且每个循环移位寄存器的串行输出端连接该循环移位寄存器的串行输入端以及所述SRAM上相应的信号输入端。
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