[发明专利]一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方法在审
申请号: | 201610021195.7 | 申请日: | 2016-01-13 |
公开(公告)号: | CN105655449A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 严辉;杜敏永;张铭;俞凤至;张悦;张永哲;张林睿;郁操;蓝仕虎;张津岩;徐希翔;李沅民 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层薄膜的制备方法,属于太阳电池技术领域。以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层;以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体,在n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层;以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层;形成三层复合结构。这种方法制备的微晶硅氧中间层薄膜大大提高了a-Si/nc-Si叠层太阳电池的短路电流匹配,同时作为叠层电池中间层和非晶硅顶电池的n层,实现了双功能作用。简化了生产工艺,缩短生产时间,在降低叠层电池生产成本方面起到一定作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 si nc 太阳电池 功能 复合 结构 微晶硅氧 中间层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于a‑Si/nc‑Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方法,其特征在于,双功能复合结构微晶硅氧中间层为三层结构,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备,具体包括以下步骤:a)以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下在a‑Si表面上生长n型微晶硅薄层;b)以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体,在步骤a)制备的n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层薄膜;c)以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下在步骤b)微晶硅氧中间层薄膜上生长与a)相同的n型微晶硅薄层;因而形成三层复合结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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