[发明专利]一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610021195.7 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN105655449A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 严辉;杜敏永;张铭;俞凤至;张悦;张永哲;张林睿;郁操;蓝仕虎;张津岩;徐希翔;李沅民 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层薄膜的制备方法,属于太阳电池技术领域。以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层;以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体,在n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层;以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层;形成三层复合结构。这种方法制备的微晶硅氧中间层薄膜大大提高了a-Si/nc-Si叠层太阳电池的短路电流匹配,同时作为叠层电池中间层和非晶硅顶电池的n层,实现了双功能作用。简化了生产工艺,缩短生产时间,在降低叠层电池生产成本方面起到一定作用。
搜索关键词: 一种 用于 si nc 太阳电池 功能 复合 结构 微晶硅氧 中间层 制备 方法
【主权项】:
一种用于a‑Si/nc‑Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方法,其特征在于,双功能复合结构微晶硅氧中间层为三层结构,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备,具体包括以下步骤:a)以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下在a‑Si表面上生长n型微晶硅薄层;b)以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体,在步骤a)制备的n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层薄膜;c)以SiH4、H2和PH3为反应气体,在高氢气稀释比状态下在步骤b)微晶硅氧中间层薄膜上生长与a)相同的n型微晶硅薄层;因而形成三层复合结构。
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