[发明专利]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法，其结构如图1所示，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)。该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。

主权项

一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管，其特征在于，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)；其中；施加顶部栅电极电压或底部栅电极电压，皆可控制晶体管的开启和关闭，同时向顶部栅电极和底部栅电极施加电压，可增大有机场效应晶体管的载流子迁移率；底栅绝缘层覆于底部栅电极之上，源电极和漏电极分别覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及源电极、漏电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶部栅电极覆盖于顶栅绝缘层之上。