[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610021334.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971973B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;周俊卿;何其旸;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层和硬掩膜层；在低k介电层中形成用于填充铜金属互连层的沟槽和通孔；对所述沟槽和通孔实施预处理过程，以修复所述沟槽和通孔的形貌，并圆化所述沟槽和通孔的顶端拐角部分；执行蚀刻后处理过程，以去除蚀刻残留物和杂质。根据本发明，可以改善形成的铜金属互连层的质量，进而提升器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层和硬掩膜层；/n在所述低k介电层中形成用于填充铜金属互连层的沟槽和通孔；/n对所述沟槽和通孔实施预处理过程，以修复所述沟槽和通孔的形貌，并圆化所述沟槽和通孔的顶端拐角部分；/n执行蚀刻后处理过程，以去除蚀刻残留物和杂质；其中，所述预处理过程包括：通过等离子体轰击电极溅射出的硅附着在所述沟槽和通孔的侧壁及底部以形成旋涂硅层，以修复所述沟槽和通孔的形貌。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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