[发明专利]半导体器件、测试程序和测试方法有效
| 申请号： | 201610022007.2 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105931674B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宫西笃史;石井雄一郎;横山佳巧 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及半导体器件、测试程序和测试方法。当执行SRAM的常温筛选测试替代非低温筛选测试时，减少了误杀，并且抑制了由局部偏差引起的缺陷的流出风险。包括字线、位线对、存储器单元以及驱动位线对的驱动电路的SRAM被设置有如下功能：可以在高电平(VDD)电位下驱动位线对中的一个位线，并且在稍高于低电平(VSS)电位的中间电位(VSS+几十mV至一百几十mV)下驱动另一个位线，以便在将数据写入存储器单元时正常写入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 程序 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：字线；位线对；存储器单元，其设置在所述字线与所述位线对彼此相交的位置处；以及驱动电路，其利用预定的电压来驱动所述位线对，以将数据写入所述存储器单元中，其中将第一电位和高于所述第一电位的第二电位提供给所述存储器单元作为电源；其中所述半导体器件具有第一操作模式和第二操作模式；其中在所述第一操作模式下，所述驱动电路将所述位线对中的一个位线向着所述第一电位驱动，并且将另一个位线向着所述第二电位驱动；以及其中在所述第二操作模式下，所述驱动电路将所述位线对中的一个位线向着所述第一电位驱动，并且将另一个位线向着第三电位驱动，所述第三电位高于所述第一电位并且低于所述第二电位。
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