[发明专利]一种薄膜开关及其制备方法有效
申请号: | 201610022399.2 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN105609352B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 李立 | 申请(专利权)人: | 珠海创飞芯科技有限公司 |
主分类号: | H01H13/702 | 分类号: | H01H13/702;H01H13/704;H01H13/88;H01H11/00 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所11399 | 代理人: | 朱健,陈国军 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜开关及其制备方法,利用薄膜的导体‑绝缘体‑导体式的以反熔丝为基础的电容器作为关断开关,通过在上下导体加特定电压或电流将绝缘体击穿形成永久通道,从而使开关导通。该薄膜开关具有超薄外形、超小形状因数、非常轻、极低功率、低成本;上千个这样的开关能够轻松的整合到一个单一的封装里;具有智能控制逻辑的智能开关能够整合到一个单一的封装里。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜开关,其特征在于:所述薄膜开关利用以反熔丝为基础的电容器作为关断开关,所述薄膜开关包括面板、上电路、隔离层和下电路,所述上电路为导体层,所述隔离层为绝缘体层,所述下电路为导体层,所述导体层和绝缘体层通过薄膜形成工艺在支持基质上形成,上电路导体层/绝缘体层/下电路导体层为TaN/HfO2/CoSi2,其重量比例为0.3~0.7:2.0~2.5:1.6~1.9;所述绝缘体层包括按照重量份数计的如下原料:PET树脂120~130份、芳纶纤维15~25份、电气石粉6~8份、聚乙烯醇缩丁醛5~7份、DOPO‑BQ 10~13份、十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐5~6份、γ‑氨基丙基三乙氧基硅烷0.1~0.2份、成核剂3988 9~10份、热稳定剂5~6份、抗氧剂8~9份;所述的热稳定剂为钡锌稳定剂;所述的抗氧剂为抗氧剂264。
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