[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610023690.1 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106409803B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 施信益;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包含一芯片，具有一有源面以及一相对于所述有源面的背面；一模塑料，覆盖并包覆所述芯片；以及一重分布层，设于所述有源面以及所述模塑料上，其中所述重分布层是与所述芯片电连接，所述重分布层包含至少一有机介电层以及一无机介电硬掩膜层，设于所述有机介电层上，其中所述重分布层还包含一金属结构，设于所述有机介电层以及所述无机介电硬掩膜层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含:一芯片，其具有一有源面以及一相对于所述有源面的背面；一模塑料，其至少部分包覆所述芯片；以及一重分布层，其设于所述有源面以及所述模塑料上，其中所述重分布层是与所述芯片电连接，其中所述重分布层包含至少一有机介电材料以及一无机介电硬掩膜材料，所述无机介电硬掩膜材料设于所述有机介电材料上，其中所述重分布层还包含一金属结构，所述金属结构设于所述有机介电材料以及所述无机介电硬掩膜材料中，且其中所述无机介电硬掩膜材料包括相对于所述有机介电材料具有高蚀刻选择性的材料且当将所述金属结构的线路图案转移到将被蚀刻的所述有机介电材料的预定区域中时，所述无机介电硬掩膜材料用作图案转移硬掩膜。
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