[发明专利]力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610023873.3 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106969874B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李昕欣;邹宏硕;王家畴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01L13/00 | 分类号： | G01L13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法，包括：单晶硅基片；压力参考腔体；位于压力参考腔体上的多晶硅力敏感薄膜、位于多晶硅力敏感薄膜上表面的单晶硅应力集中结构、位于单晶硅应力集中结构上表面的压敏电阻；过孔，穿过单晶硅基片的背面与压力参考腔体相通。本发明采用体硅下薄膜工艺制作，多晶硅力敏感薄膜被沉积在体硅加工后的单晶硅层下表面且薄膜厚度精确可控，单晶硅层与多晶硅力敏感薄膜之间夹着一层氧化硅层；通过干法自停止刻蚀单晶硅层形成单晶硅应力集中结构，最后去除氧化硅层暴露出多晶硅力敏感薄膜。本发明大大提高了高灵敏度压力传感器敏感薄膜结构加工的一致性和高成品率，适合大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 厚度 精确 可控 传感 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构，其特征在于，所述力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构至少包括：一单晶硅基片；一压力参考腔体，形成于所述单晶硅基片内部；一压力敏感单元，包括位于所述压力参考腔体上的多晶硅力敏感薄膜、位于所述多晶硅力敏感薄膜上表面的单晶硅应力集中结构、以及位于所述单晶硅应力集中结构上表面的四个压敏电阻；所述单晶硅应力集中结构包括位于中间层的单晶硅层，以及位于所述单晶硅层上、下表面的氧化硅层，上、下层的氧化硅层厚度相等；过孔，穿过所述单晶硅基片的背面与所述压力参考腔体相通，用于控制所述多晶硅力敏感薄膜的厚度，所述过孔的尺寸越大所述多晶硅力敏感薄膜的厚度越厚。
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