[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610024132.7 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106971974A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 周静;胡平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有接触孔；形成填充所述接触孔的导电材料；执行氧化步骤，以氧化在形成所述导电材料的过程中所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物，形成容易去除的氧化物，其中，所述氧化步骤选用氧化剂和催化剂对所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物进行氧化，同时添加抑制剂，以防止所述接触孔开口中的所述导电材料的氧化；对形成的所述容易去除的氧化物进行平坦化并清洗，以去除所述容易去除的氧化物。通过所述改进进一步提高了所述半导体器件的良率和性能，而且所述方法简单易行，应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有接触孔；形成填充所述接触孔的导电材料；执行氧化步骤，以氧化在形成所述导电材料的过程中所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物，形成容易去除的氧化物，其中，所述氧化步骤选用氧化剂和催化剂对所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物进行氧化，同时添加抑制剂，以防止所述接触孔开口中的所述导电材料的氧化；对形成的所述容易去除的氧化物进行平坦化并清洗，以去除所述容易去除的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
