[发明专利]一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法

摘要

一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法，制作一种固态阴极射线发光器件，非晶半导体SiO2薄膜为电子加速层，发光材料为有机高分子聚合物。在器件两电极施加单向矩形脉冲电压，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO2薄膜；脉冲电压值（高度）V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO2薄膜的跨越时间。由即导出迁移率的值，其中d为非晶半导体SiO2薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度。

主权项

1.一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法，其特征是，可以采用以下步骤：(1)制备固态阴极射线发光器件：取基片ITO玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在ITO玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体SiO2薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸发技术制备Al背电极；(2)在非晶半导体SiO2薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩形脉冲电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO2薄膜，脉冲电压值V，先用初始脉宽，然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽t0，即电子跨越非晶半导体SiO2薄膜的跨越时间t0；(3)由公式v＝μE，其中v为平均漂移速度，E为电场强度，μ为迁移率，而其中d为非晶半导体SiO₂薄膜的厚度，d^r为有机发光薄膜的厚度，V为脉冲电压值，其中t₀为电子跨越非晶半导体SiO₂薄膜的跨越时间，所以即得出待测非晶半导体SiO₂薄膜电子迁移率μ；所述的基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法也适用于其它宽禁带无机半导体材料。