[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610025245.9 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106024564B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 西堂周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与衬底载置部的至少一部分相对，并且在中央具有气体供给通路；气体供给结构，与气体供给通路连通；反应气体供给部，与气体供给结构连接，具有等离子体生成部；管，设置于气体供给结构内及所述气体供给通路内，与反应气体供给部连通；气体供给部，与气体供给结构连接，向管的外周侧、气体供给结构内侧供给气体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其具有：衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与所述衬底载置部的至少一部分相对，并且在中央具有气体供给通路；气体供给结构，与所述气体供给通路连通、并且连接于所述腔盖；反应气体供给部，于所述气体供给结构的上游连接，具有等离子体生成部；管，设置于所述气体供给结构内及所述气体供给通路内，内周与所述反应气体供给部连通；气体供给部，于所述气体供给结构的上游连接，与所述管的外周与构成所述气体供给通路的所述腔盖的侧壁之间的空间连通。
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