[发明专利]优化探针台测试针压参数的方法有效
| 申请号： | 201610025323.5 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105632960B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 桑浚之;辛吉升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种优化探针台测试针压参数的方法，步骤1、按照探针针尖高度，从探针卡的四个角分别进行采样，得到4个样本；步骤2、从探针卡的一个测试单位的分布的位置处再寻找4个样本；步骤3、在显微镜下对这8个样本的针尖高度H进行测量，并分别记录为H1，…，H8；步骤4、根据每个位置针尖高度的不同，定义适当的加权比重，分别记为G1，…G8；步骤5、对8个样本的针尖高度及与其对应的加权比重数据进行加权平均得到一个评价的针尖高度Hagv；步骤6、根据步骤5得到的评价的针尖高度Hagv数值定义合适的针尖压力。本发明能够更加利于测试的接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 探针 测试 参数 方法 | ||
【主权项】：
一种优化探针台测试针压参数的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、按照探针针尖高度，从探针卡的四个角分别进行采样，得到4个样本；步骤2、从探针卡的一个测试单位的分布的位置处再寻找4个样本；步骤3、在显微镜下对这8个样本的针尖高度H进行测量，并分别记录为H1，…，H8；步骤4、根据每个位置针尖高度的不同，定义适当的加权比重，分别记为G1，…G8；步骤5、对8个样本的针尖高度及与其对应的加权比重数据进行加权平均得到一个评价的针尖高度Hagv；步骤6、根据步骤5得到的评价的针尖高度Hagv数值定义合适的针尖压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610025323.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
