[发明专利]IGBT器件的终端结构在审
| 申请号： | 201610025475.5 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105679815A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 蒋章;刘须电;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件的终端结构，包含有硅衬底中的多个浮空的场环，以及场氧、场板；所述的场环为离子注入形成，场环与衬底互为相对的导电类型以形成PN结；多重的场环形成多个封闭的环形或跑道型；所述场氧覆盖在场环之间的硅衬底上，所述的场板覆盖在场环及场环之间的场氧之上，所述的场环的掺杂浓度为1E15～1E17/CM3；场环之间的间距是调整到使中间区域的场环的柱面结电场高于其他场环的柱面结电场。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件的终端结构，其特征在于，包含有硅衬底中的多个浮空的场环，以及场氧、场板；所述的场环为离子注入形成，场环与衬底互为相对的导电类型以形成PN结；多重的场环形成多个封闭的环形或跑道型；所述场氧覆盖在场环之间的硅衬底上，所述的场板覆盖在场环及场环之间的场氧之上，所述的场环的掺杂浓度为1E15～1E17/CM3；场环之间的间距是调整到使终端中间区域的场环的柱面结电场高于终端其他场环的柱面结电场。
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