[发明专利]一种去除TM-SOI顶层硅缺陷的方法有效
| 申请号： | 201610025528.3 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106981451B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高文琳;柳清超;孙伟 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/322 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除TM‑SOI顶层硅缺陷的方法，属于SOI制备技术领域。该方法是将TM‑SOI形成的SOI硅片，采用HCl化学腐蚀除去薄膜SOI硅片表面的损伤层，与此同时在高温低压的环境下，对薄膜SOI顶层硅层中因注入造成的缺陷进行了修复，获得高质量的SOI硅片。应用此方法制备的SOI，不仅可以改善表面粗糙度，最重要的是可以修复SOI的缺陷，制备电特性极佳的SOI材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 tm soi 顶层 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除TM‑SOI顶层硅缺陷的方法，其特征在于：该方法是针对TM‑SOI制备的SOI硅片，在高温低压的环境下，利用无水HCl气体修复其顶层硅缺陷，同时改善表面粗糙度，从而获得高质量的SOI硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳硅基科技有限公司，未经沈阳硅基科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610025528.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋风除尘器系统及静电除尘设备
- 下一篇：一种新型高温抗湿袋式除尘系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
