[发明专利]一种背照式图像传感器的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610026413.6 申请日: 2016-01-16
公开(公告)号: CN105514135A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 谢斌;秦盼;张乐银;向圆;李彪;陈计学;赵建强;张伟 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种背照式图像传感器的制造方法,包括以下步骤:a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理;b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合;c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理,去除图像传感器芯片的背面衬底;d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层;e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层;f)在抗反射膜层上制备反光膜层;g)释放图像传感器芯片上的光感应元件;h)释放图像传感器芯片上的焊盘,得到最终的背照式图像传感器;本发明工艺简单易于实现,可适用于批量生产,采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘,使得后序封装中的引线键合工艺实现简单,节省了封装成本。
搜索关键词: 一种 背照式 图像传感器 制造 方法
【主权项】:
一种背照式图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理,且在图像传感器芯片正面形成第一绝缘层;在支撑基板的顶面制作第二绝缘层;b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合,第一绝缘层与第二绝缘层之间形成键合层;c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理,去除图像传感器芯片的背面衬底;d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层;e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层;f)在抗反射膜层上制备反光膜层;g)释放图像传感器芯片上的光感应元件;h)释放图像传感器芯片上的焊盘,得到最终的背照式图像传感器。
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