[发明专利]一种背照式图像传感器的制造方法在审
申请号: | 201610026413.6 | 申请日: | 2016-01-16 |
公开(公告)号: | CN105514135A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 谢斌;秦盼;张乐银;向圆;李彪;陈计学;赵建强;张伟 | 申请(专利权)人: | 华东光电集成器件研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233042 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法,包括以下步骤:a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理;b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合;c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理,去除图像传感器芯片的背面衬底;d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层;e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层;f)在抗反射膜层上制备反光膜层;g)释放图像传感器芯片上的光感应元件;h)释放图像传感器芯片上的焊盘,得到最终的背照式图像传感器;本发明工艺简单易于实现,可适用于批量生产,采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘,使得后序封装中的引线键合工艺实现简单,节省了封装成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理,且在图像传感器芯片正面形成第一绝缘层;在支撑基板的顶面制作第二绝缘层;b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合,第一绝缘层与第二绝缘层之间形成键合层;c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理,去除图像传感器芯片的背面衬底;d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层;e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层;f)在抗反射膜层上制备反光膜层;g)释放图像传感器芯片上的光感应元件;h)释放图像传感器芯片上的焊盘,得到最终的背照式图像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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