[发明专利]真空镀膜设备与单质薄膜的镀制方法

摘要

本申请提供了一种真空镀膜设备与单质薄膜的镀制方法。该真空镀膜设备包括：蒸发源、保护盖板与挡板，其中，蒸发源用于放置膜料；保护盖板置于蒸发源上，具有开口；以及挡板可移动地设置在蒸发源上，用于遮挡开口。真空镀膜设备中包括可转动的挡板，通过调整该挡板的位置，使其遮挡蒸发源，将杂质等物质镀制在挡板上，避免将这些物质镀制在基片上，进而影响其器件的性能。

主权项

1.一种单质薄膜的镀制方法，其特征在于，所述镀制方法采用真空镀膜设备实施，所述真空镀膜设备包括：蒸发源（1），用于放置膜料；保护盖板（2），置于所述蒸发源（1）上，具有开口；挡板（3），可移动地设置在所述蒸发源（1）上，用于遮挡所述开口；真空腔室（100），所述蒸发源（1）、所述保护盖板（2）与所述挡板（3）设置在所述真空腔室（100）内；用于放置基片的载台（7），所述载台（7）设置在所述真空腔室（100）内且位于所述真空腔室（100）的上方；掩板（5），设置在目标蒸发源的上方，所述掩板（5）具有用于暴露所述目标蒸发源的通孔（51），所述目标蒸发源即为在镀制过程中使用的一个蒸发源；以及第二驱动单元（6），所述第二驱动单元（6）设置在所述真空腔室（100）外侧，所述第二驱动单元（6）与所述掩板（5）连接，所述第二驱动单元（6）驱使所述掩板（5）移动并使得所述通孔（51）暴露所述目标蒸发源，所述第二驱动单元（6）具有n个工位，各所述工位与各所述蒸发源（1）的位置一一对应；所述镀制方法包括将膜料镀制在基片上，所述膜料包括反应物和杂质，所述杂质包括第一杂质体，所述反应物的熔点为T₀，所述第一杂质体的熔点为T_L，T_L<T₀，其中，在将所述膜料镀制在所述基片上之前还包括：步骤S1，将所述膜料放置在目标蒸发源中，在所述目标蒸发源上方设置挡板；步骤S2，将所述膜料加热至T₁使所述第一杂质体蒸发并沉积在所述挡板上，其中，T_L≤T₁<T₀；以及步骤S3，移除所述挡板；所述步骤S2在当所述第一杂质体在所述挡板上的沉积速率稳定后，停止加热；当所述第一杂质体包含多种杂质时，所述T₁大于所述第一杂质体中熔点最高的杂质的熔点；所述杂质还包括第二杂质体，所述第二杂质体的熔点为T_H，且T_H>T₀，将所述膜料镀制在所述基片上的过程包括：将所述膜料加热至T₂，其中，T₀≤T₂≤T_H。