[发明专利]一种基于单晶AlN的薄膜体声波谐振器制备方法在审
| 申请号： | 201610028451.5 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105703732A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李洁;刘国荣 | 申请（专利权）人： | 佛山市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 许伯严 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单晶AlN的薄膜体声波谐振器制备方法。该制备方法包括以下步骤：在制备衬底采用分子束外延生长法生长（111）取向的单晶Al薄膜；并在其上继续通过脉冲激光沉积生长法生长（002）取向的单晶AlN薄膜；最后在AlN薄膜上沉积一层金属薄膜，形成Al/AlN/金属的三明治压电堆叠结构。采用该方法制备得到的基于单晶AlN压电堆叠结构可用于薄膜体声波谐振器的制备中，单晶AlN薄膜在压电性能上优于目前薄膜体声波谐振器中应用到的多晶AlN压电薄膜，从而提高器件的品质因数和有效机电耦合系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 aln 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于单晶AlN的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗、退火处理制备衬底Si(111)，在该衬底上通过分子束外延法生长单晶Al作为薄膜体声波谐振器的底电极；继续在金属单晶Al(111)衬底上通过脉冲激光沉积生长法外延生长（002）取向的单晶AlN薄膜作为薄膜体声波谐振器的压电层；在压电层上沉积一层金属作为顶电极；在硅背面刻蚀出空气腔。
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