[发明专利]一种高低温下分布集中的带隙基准电路有效
申请号: | 201610028543.3 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105487589B | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 贾雪绒 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种高低温下分布集中的带隙基准电路,包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块;所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR;所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度,并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块,在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块;所述选通逻辑模块用于在接收到第一信号时,将第一调整码送至带隙基准电路;在接收到第二信号时,将第二调整码送至带隙基准电路。本发明找到每个带隙基准电路对应的高温下的调整码和低温下的调整码,根据外部温度值动态选择合适的调整码,以达到带隙电压输出值在高低温下都在目标值附近分布非常集中的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 分布 集中 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种高低温下分布集中的带隙基准电路,其特征在于,包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块;所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR;所述温度检测器用于自动检测带隙基准电路所处环境的温度,并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块,在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块;所述选通逻辑模块用于:在接收到第一信号时,将第一调整码送至带隙基准电路中的电阻R3,去调整电阻R3的值;去调整电阻R3的值,控制带隙基准电压vBGR接近目标值;在接收到第二信号时,将第二调整码送至带隙基准电路中的电阻R3,去调整电阻R3的值;去调整电阻R3的值,控制带隙基准电压vBGR接近目标值;第一调整码为90℃时的调整码;第二调整码为‑10℃时的调整码;第一调整码和第二调整码的获得方法如下:在90℃下扫描调整码,同时测量带隙基准电路的输出电压,找到一组第一调整码,使得带隙基准电路输出的带隙基准电压值最接近目标值;在‑10℃扫描所有的调整码,同时测量带隙基准电路输出的带隙基准电压输出,找到一组第二调整码,使得带隙基准电路输出的带隙基准电压值最接近目标值;所述带隙基准电路包括运算放大器controls、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R2、电阻R3、PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3;PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的漏极均接电源;PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的栅极共接且连接运算放大器controls的输出端;PMOS管PMOS1的源极连接二极管D1的正极,二极管D1的负极接地;PMOS管PMOS2的源极串接电阻R2后连接二极管D2的正极,二极管D2的负极接地;PMOS管PMOS3的源极串接电阻R3后连接二极管D3的正极,二极管D3的负极接地;运算放大器controls的正向输入端连接PMOS管PMOS1的源极,运算放大器controls的反向输入端连接PMOS管PMOS2的源极;PMOS管PMOS3的源极输出带隙基准电压vBGR;选通逻辑模块在接收到第一信号时,将第一调整码送至带隙基准电路的电阻R3;在接收到第二信号时,将第二调整码送至带隙基准电路的电阻R3;所述阈值为50℃;第一调整码和第二调整码均通过激光熔丝输出给带隙基准电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610028543.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种车辆、桥梁模型风洞试验系统
- 下一篇:中小型汽车后桥从动齿轮的制造方法