[发明专利]一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610028798.X | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105552714A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 关宝璐;刘储;李建军;江孝伟;潘冠中;李鹏涛;刘振扬;杨嘉炜;徐晨 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。因为边发射激光器谐振腔长度的原因，其不容易直接实现单纵模输出，所以本发明要改进边发射激光器激射激光的单纵模窄线宽特性。通过电子束直写曝光的技术，区域性选择将DBR光栅融入到边发射激光器结构中，并且对含有铝组分的光栅使用氮化硅薄层进行保护。从而激光器本身激射的激光光。通过DBR光栅结构可以实现边发射激光器单纵模窄线宽激射，使得激光光束质量大幅提升，同时能够稳定输出。由此可以达到对铯原子钟良好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 dbr 光栅 结构 852 nm 宽边 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器，其特征在于：该激光器包括p型金属电极(12)、有源区脊型台(3)、氮化硅隔离层(11)、脊型限制光栅(10)、n‑GaAs衬底(9)、n型金属电极(13)；脊型限制光栅(10)与有源区脊型台(3)严格对准于一条直线上；P型金属电极(12)覆盖于有源区脊型台(3)上，其余部分用氮化硅隔离层(11)覆盖，起到电隔离和保护脊型限制光栅(10)的作用；有源区脊型台(3)与脊型限制光栅(10)设置在渐变组分AlGaAs波导层(4)上，其余每层材料依次生长在n‑GaAs衬底(9)上面，n‑GaAs衬底(9)下面溅射n型金属电极(13)。
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