[发明专利]GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610029805.8 | 申请日： | 2016-01-01 |
| 公开（公告）号： | CN105610047B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 舒斌;范林西;吴继宝;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/30;H01S5/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GeSn多量子阱金属腔激光器，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，有源层采用应变补偿量子阱结构，Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅薄膜表面上涂有Ag金属层。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够通过调整Sn组分的大小改变应力大小以实现锗锡光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率和光稳定性，加工简单、方便。 | ||
| 搜索关键词： | gesn 多量 金属 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种GeSn多量子阱金属腔激光器，其特征在于，包括Si衬底、以及自下而上设置在Si衬底上的Ge缓冲层、下分布布拉格反射镜、有源层、上分布布拉格反射镜和Ge0.88Sn0.12缓冲层，所述有源层采用应变补偿量子阱结构，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层、上分布布拉格反射镜、有源层和下分布布拉格反射镜刻蚀成圆柱形台面，圆柱形台面的侧面以及下分布布拉格反射镜表面生长有氮化硅薄膜，所述Ge0.88Sn0.12缓冲层和氮化硅掩膜表面上涂有Ag金属层；所述下分布布拉格反射镜是由24.5对SiaGebSnc/SixGeySnz材料交替组成的n型分布式布拉格反射镜，所述上分布布拉格反射镜是由8.5对SiaGebSnc/SixGeySnz材料交替组成的p型分布式布拉格反射镜，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4，其中a+b+c＝1，0＜a＜0.1，0＜b＜0.8，0＜c＜0.3，x+y+z＝1，0＜x＜0.8，0＜y＜0.12，0＜z＜0.3。
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