[发明专利]使用具有超薄结构的沉积装置的薄膜沉积方法及该沉积装置有效
| 申请号： | 201610029865.X | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105803426B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 徐祥准;刘址范;郑昊均;赵成珉 | 申请（专利权）人： | 成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/455;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及使用具有超薄结构的沉积装置的薄膜沉积方法及该沉积装置。具体公开了一种超薄结构的薄膜沉积方法和一种超薄结构的薄膜沉积装置，所述方法包括：通过使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；以及通过使所述源气体与所述反应物气体在所述衬底的表面上反应而在所述衬底上形成薄膜，其中通过使用所述源气体和所述反应物气体对所述衬底进行等离子体处理在单个等离子体模块内执行，以及所述等离子体处理选择性地对所述衬底的整体或部分进行。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 超薄 结构 沉积 装置 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用具有超薄结构的沉积装置的薄膜沉积方法，其包括：通过使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；以及通过使所述源气体与所述反应物气体在所述衬底的表面上反应而在所述衬底上形成薄膜，其中通过使用所述源气体和所述反应物气体对所述衬底进行等离子体处理在单个等离子体模块内执行，以及所述等离子体处理选择性地对所述衬底的整体或部分进行。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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