[发明专利]一种Co2VGa掺杂诱发的半金属表面制备工艺

摘要

本发明提供了一种Co₂VGa掺杂诱发的半金属表面制备工艺，包括以下步骤：第一步：构建表面结构；构建Co₂VGa(001)方向的两种表面结构，另外，通过掺杂构建一个纯V端面的表面；第二步：对上述三种表面进行结构优化；在优化的过程中，为了尽可能的接近实际，允许外面前5层的原子位置弛豫，其他原子位置固定；第三步：计算优化后的表面结构的态密度、磁矩、表面能等物理量；第四步：分析表面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性；第五步：通过对第四步中图形和表格分析和比较，获得具有100％自旋极化且结构稳定的半金属表面薄膜。

主权项

一种Co₂VGa掺杂诱发的半金属表面制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：构建表面结构；构建Co₂VGa(001)方向的两种表面结构，另外，通过掺杂构建一个纯V端面的表面。对上述三种表面，我们分别取15、17和17个原子层并且厚度为的真空对称性地加在薄膜的两端以避免相邻薄膜层的相互作用；第二步：对上述三种表面进行结构优化；在优化的过程中，为了尽可能的接近实际，允许外面前5层的原子位置弛豫，其他原子位置固定；第三步：计算优化后的表面结构的态密度、磁矩、表面能等物理量；对态密度和磁矩的计算，主要包括表面层、次表面层、中心层原子的总态密度和d电子的分态密度及磁矩；第四步：分析表面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性；对态密度及稳定性的分析，我们利用图示法，而对磁矩和自旋极化的分析，利用列表比较的工艺；第五步：通过对第四步中图形和表格分析和比较，获得具有100％自旋极化且结构稳定的半金属表面薄膜。