[发明专利]一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610030173.7 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105543779B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 王海;普小云;乔振芳;邹涛隅;罗利;杨镒吉;王晓燕 申请(专利权)人: 昆明学院
主分类号: C23C14/12 分类号: C23C14/12;C23C14/24;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 代理人: 姜开侠;谢乔良
地址: 650214 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法,所述的酞菁氧钛纳米片呈大小均匀的片状,其直径约为400‑700nm,厚度为1‑10nm。所述的酞菁氧钛纳米片制备方法采用有机气相沉积法,包括以下步骤:a)放入酞菁氧钛原料至炉中的加热区域;b)在载气氛围下,加热酞菁氧钛原料至410‑440℃,使酞菁氧钛升华;c)通过该载气,引导该升华的酞菁氧钛离开该加热区域,至生长区域,所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度;d)在生长区域,得到酞菁氧钛纳米片。本发明的酞菁氧钛纳米片为新形貌,性能优异,其操作简单,成本低,无污染,可以大量制备。
搜索关键词: 酞菁氧钛 纳米片 制备 加热区域 生长区域 形貌 有机气相沉积 升华 放入 加热 炉中 载气
【主权项】:
1.一种酞菁氧钛纳米片制备方法,其特征在于所述酞菁氧钛纳米片的直径为400‑700nm,厚度为1‑10nm,制备方法为:依次清洗石英管及衬底并安装好设备,通入氮气30分钟后开始加热至390℃,再以1‑8℃/min的速度阶梯升温至440℃并保温180min;氮气将升华后的酞菁氧钛从加热区域运输至生长区域,生长区域的温度接近室温;保温完成后停止加热,持续通氮气30min,制备结束;所制备酞菁氧钛纳米片呈片状,大小均匀,直径为400‑700nm、厚度为1‑10nm。
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