[发明专利]一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法在审

专利信息
申请号: 201610030300.3 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105766571A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 李东安 申请(专利权)人: 李东安
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G31/06;A01G25/00
代理公司: 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 代理人: 刘汉民
地址: 510000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提出了一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法,包括如下步骤:(1)在工业培育室的生产间内放置多层培养架,所述培养架上放置培育框,其中,所述培育框包括水平设置的框底和竖向设置于地面四周的框边,所述框底上设有网孔;(2)在培育框的框底上铺设种植无纺布;(3)在种植无纺布上设置肥料层,在肥料层上铺设2‑4mm厚的培养基质并在培养基质上插播佛甲草的截枝幼苗,对佛甲草的截枝直接进行培育;(4)控制工业培育室内的温度为15‑30℃;(5)对佛甲草幼苗进行雾化式喷灌,湿度控制在60%‑80%,培育十五天至二十天待佛甲草的截枝长出新芽。本发明节约了农业用地,并可减小环境影响因素,节约了水资源,降低了培育成本。
搜索关键词: 一种 佛甲草 幼苗 工业化 快速 培育 方法
【主权项】:
一种佛甲草幼苗工业化快速培育方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在工业培育室的生产间内放置多层培养架,所述培养架上放置培育框,其中,所述培育框包括水平设置的框底和竖向设置于地面四周的框边,所述框底上设有网孔;(2)在培育框的框底上铺设种植无纺布;(3)在种植无纺布上设置肥料层,在肥料层上铺设2‑4mm厚的培养基质并在培养基质上插播佛甲草的截枝幼苗,对佛甲草的截枝直接进行培育;(4)控制工业培育室内的温度为15‑30℃;(5)对佛甲草幼苗进行雾化式喷灌,湿度控制在60%‑80%,培育十五天至二十天待佛甲草的截枝长出新芽。
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