[发明专利]一种ITO薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610030602.0 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106977112B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 谢美兰;吴馨洲;邵霜霜;陈征;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25;C03C23/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括：将ITO前驱体液涂覆在基体上，并经干燥处理而形成薄膜；将所述薄膜空气氛围退火，之后进行闪灯强脉冲光烧结处理。与空气退火后不进行闪灯烧结和不进行空气退火直接闪灯烧结的ITO薄膜相比，藉由本发明的方法可以显著提升ITO薄膜的电导，特别是使ITO薄膜在低温下有高的电导，同时还可显著改善ITO薄膜的形貌，并且本发明的方法无需真空、无需高温、简单易行，适用于低温下的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括：（1）将ITO前驱体液涂覆在基体上，并经干燥处理而形成薄膜；（2）将所述薄膜在300℃以下空气氛围退火，之后进行闪灯强脉冲光烧结处理，闪灯能量密度在130J/m2以下，闪灯时间在2ms以下，脉冲1～2次。
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