[发明专利]一种半水石膏单晶定向生长的控制方法有效
| 申请号： | 201610030658.6 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105624772B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 董发勤;谭宏斌;吴传龙;何花;贺小春 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/46 |
| 代理公司： | 成都蓉信三星专利事务所(普通合伙)51106 | 代理人： | 刘克勤 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半水石膏单晶定向生长的控制方法，它是在磷石膏中加入酸度调节剂，加入水，混合均匀，陈化后，装入带冷凝回流装置的反应釜中，加入杂质稳定剂，晶面选择吸附剂，混合均匀后，进行加热反应，同时在反应体系中加上离子运动控制器，反应结束后、冷却、过滤、将固体烘干，得到形态可控的半水石膏单晶。本方法工艺简单，成本低的特点，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石膏 定向 生长 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半水石膏单晶定向生长的控制方法，其特征在于，包括下述步骤：A、原料预处理：在磷石膏中加入酸度调节剂，加入水，混合均匀，陈化24h；其中酸度调节剂为氧化钙、碳酸钙中的一种，加入量为磷石膏质量的1～10%；水的加入量为磷石膏质量的100～500%；B、石膏单晶的制备：在步骤A得到的处理磷石膏倒入带冷凝回流装置的反应釜中，加入杂质稳定剂，晶面选择吸附剂，混合均匀后，进行加热反应，同时在反应体系中加上离子运动控制器，反应结束后、冷却、过滤、将固体烘干，得到半水石膏单晶；其中杂质稳定剂为山梨醇，其加入量为磷石膏质量100～500%；晶面选择吸附剂为聚羧酸，其加入量为磷石膏质量1～10%；离子运动控制器为一个能产生交变电场或交变磁场的装置，其频率可调，频率为0.1～50Hz。
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