[发明专利]基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610031078.9 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105489761A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 唐莹;郑亚开;张璇;韦一;彭应全;马力超;钱宏昌 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管，其特征在于：由衬底、漏极、有机有源层、筛状电极、栅介质层和栅极依次叠加组成，其中，漏极位于衬底之上，有机有源层位于漏极之上，筛状电极位于有机有源层之上，栅介质层位于筛状电极之上，栅极位于栅介质层之上。基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管以很薄的近乎于单分子层的金属材料作为筛状电极，筛状电极具有良好的电场透过率和光透过率；采用垂直有机场效应晶体管结构，以减小载流子传输路径、增大载流子传输横截面积，进而制备出满足低工作电压、高输出电流、高工作频率的有机场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电极 垂直 有机 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
基于筛状电极的垂直有机场效应晶体管，其特征在于：由衬底、漏极、有机有源层、筛状电极、栅介质层和栅极依次叠加组成，其中，漏极位于衬底之上，有机有源层位于漏极之上，筛状电极位于有机有源层之上，栅介质层位于筛状电极之上，栅极位于栅介质层之上。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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