[发明专利]一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201610031786.2 | 申请日: | 2016-01-18 |
公开(公告)号: | CN105552211A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 高凯征;宋吉鑫;于健;张东;林数全;王存旭;杜世鹏;刘春忠;李娜;何毅 | 申请(专利权)人: | 辽宁广告职业学院;沈阳工程学院 |
主分类号: | H01L41/083 | 分类号: | H01L41/083;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;H01L41/45 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 屈芳 |
地址: | 110148 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于压电薄膜发电技术领域,具体地来讲为一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法。该方法包括:在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属铝银电极。本发明把压电材料发电技术与声控材料发电技术使之与超级导体石墨烯相结合实现发电,由于石墨烯超导体的特征,极大程度的导出了所有的电荷,解决了压电材料与声控材料发电率低,不易导出等难题。 | ||
搜索关键词: | 一种 声控 挤压 发电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种声控挤压式发电薄膜,其特征在于,该薄膜从底层到上层依次包括金属不锈钢板、第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线,偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属银电极。
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