[发明专利]半导体晶片处理期间控制边缘处理的可移动边缘耦合环有效

专利信息
申请号: 201610032252.1 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105810609B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 严浩全;罗伯特·格里菲斯·奥尼尔;拉斐尔·卡萨斯;乔恩·麦克切斯尼;亚历克斯·帕特森 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01J37/32
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种衬底处理系统,其包括处理腔室和布置在处理腔室内的基座。边缘耦合环布置为邻近所述基座的径向外边缘。第一致动器,其配置为选择性地移动所述边缘耦合环至相对于所述基座的提升位置,以在所述边缘耦合环和所述基座之间提供空隙,以允许机器臂将所述边缘耦合环从所述处理腔室移除。
搜索关键词: 半导体 晶片 处理 期间 控制 边缘 移动 耦合
【主权项】:
一种衬底处理系统,包括:处理腔室;布置在所述处理腔室内的基座;边缘耦合环,其布置为邻近所述基座的径向外边缘;以及第一致动器,其配置为选择性地移动所述边缘耦合环至相对于所述基座的提升位置,以在所述边缘耦合环和所述基座之间提供空隙,以允许机器臂将所述边缘耦合环从所述处理腔室移除。
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