[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及制备方法有效

专利信息
申请号: 201610032753.X 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105702403B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 章晓峰;郝忠彬;洪群峰 申请(专利权)人: 浙江东阳东磁稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 代理人: 尉伟敏
地址: 322118 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种烧结钕铁硼磁体及制备方法。它由高Ce主相合金粉末和低熔点Nd‑Cu辅相粉末均匀混合制备而成,采用如下步骤高Ce主相合金粉末采用速凝、氢破和气流磨的工艺制备而成;低熔点Nd‑Cu辅相粉末经熔炼铸锭、氢破、高能球磨制备而成;将高Ce主相合金粉末与低熔点Nd‑Cu粉末按照比例混合均匀;粉末混合均匀后在磁场中成型进行低温烧结,烧结后的样品进行低温回火处理,制得烧结钕铁硼磁体。本发明的有益效果是实现Ce元素大量添加实用化,以及Ce元素大量添加后,制备低成本的高Ce含量的烧结钕铁硼磁体,解决铈元素的堆积难题,还降低了磁体制备的能耗,对促进稀土行业健康稳定的发展,具有重要的实际意义。
搜索关键词: 一种 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法
【主权项】:
一种烧结钕铁硼磁体,其特征是,由高Ce主相合金粉末和低熔点Nd‑Cu辅相粉末均匀混合制备而成,所述高Ce主相合金粉末的质量百分比化学式为:(Cex,PrNd1‑x‑y,Hoy)aFe100‑a‑b‑cTMbBc,其中TM为Co、Al、Cu、Ga、Nb和Zr中的一种或多种;x的范围为0.5~0.9,y的范围为0.1~0.3,a的范围30~32.5,b的范围0.3~2.5,c的范围0.9~1.2;所述低熔点Nd‑Cu辅相粉末的质量百分比化学式为:NdmCun,其中m+n=1。
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