[发明专利]杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚在审
| 申请号： | 201610032906.0 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106978625A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 魏汝超 | 申请（专利权）人： | 超能高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/04;C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 中国台湾桃园市龙潭*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚，所述杂质吸收材料包含低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)，其中(4-x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4-x)化合物的氮原子摩尔数比，且x介于0.32-3.33之间，由于低氮原子重量百分比的氮化硅(Si3N4-x)存在不稳定的悬挂键、不饱和键及其他未配对键结等高活性官能基，因此应用于高温领域时，这些高活性基团为降低能量而吸附来自烧结过程的杂质，大量杂质被本发明的杂质吸收材料吸附，导致反应过程杂质减少，最终产品的产出将有助于减少杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 吸收 材料 涂布有 坩埚 | ||
【主权项】：
一种杂质吸收材料，其特征在于：所述杂质吸收材料包含具高活性官能基的氮化硅(Si3N4‑x)，其中(4‑x)为所述杂质吸收材料于氮化硅(Si3N4‑x)化合物的氮原子摩尔数比，x介于0.32‑3.33之间。
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