[发明专利]带有高纵横比沟槽接头以及沟槽间亚微米间距的功率器件在审
| 申请号： | 201610033164.3 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105826386A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李文军;保罗·托鲁普;常虹;李亦衡;向泱;邓觉为;薛宏勇;顾一鸣 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种位于半导体衬底中的半导体功率器件，该半导体功率器件包含一个有源晶胞区和一个端接区。该半导体功率器件还包含多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中半导体衬底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充，沟槽的顶部用高密度等离子（HDP）绝缘层填充。该半导体功率器件还包含位于栅极沟槽之间的半导体衬底的台面结构区，其中台面结构区凹陷下去，顶部台面结构表面垂直位于HDP绝缘层的顶面以下，其中覆盖在导电栅极材料上方的HDP绝缘层构成一个凸起边界限定层，包围着栅极沟槽之间有源晶胞区中的凹陷台面结构区。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 纵横 沟槽 接头 以及 微米 间距 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种位于半导体衬底中的半导体功率器件，其特征在于，包含一个有源晶胞区和一个端接区，其中半导体功率器件还包含：多个栅极沟槽，形成在有源晶胞区中半导体衬底的顶部，其中每个栅极沟槽都用导电栅极材料部分填充，沟槽顶部由高密度等离子体HDP绝缘层填充；以及位于栅极沟槽之间的半导体衬底的台面结构区，其中台面结构区相对于HDP绝缘层的顶面凹陷，顶部台面结构表面位于HDP绝缘层的顶面下方，其中HDP绝缘层覆盖在导电栅极材料上方，构成凸起边缘限定层，包围着栅极沟槽之间的有源晶胞区中的凹陷台面结构区。
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