[发明专利]一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源

摘要

本发明公开了一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件，所述每个相同型号的MOSFET器件上的漏极连接在一起，并接到输出端O，每个MOSFET器件上的衬底电极连接在一起，并接地。本发明提供了由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源，该电流源可提供数十皮安培电流的输出和控制，能够满足生物芯片对电流大小和功耗的苛刻要求：同时也可被制造成相应的集成电路芯片，由于涉及的MOSFET器件和电路与传统的CMOS集成电路工艺有很好的兼容性，因此无需特殊工艺，因此制造成本较低。

主权项

一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件(6)，其特征在于，所述每个相同型号的MOSFET器件(6)上的漏极（2）连接在一起，并接到输出端O，每个MOSFET器件(6)上的衬底电极（3）连接在一起，并接地。