[发明专利]包括保护结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201610034564.6 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105810644B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | K·卡斯帕;A·科勒;E·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 装置包括半导体芯片，所述半导体芯片包括切割边缘。所述装置还包括布置在所述半导体芯片的半导体材料中的有源结构和布置在所述切割边缘和所述有源结构之间的保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 保护 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：半导体芯片，其包括切割边缘、半导体材料、位于半导体材料上方的外延层以及位于半导体材料与外延层之间的埋层；布置在所述半导体芯片的半导体材料中的有源结构；以及布置在所述切割边缘和所述有源结构之间的保护结构，其中，所述保护结构包括从半导体芯片的前侧延伸经过外延层和埋层进入到半导体材料中的沟槽，其中，沟槽的侧壁由第一氧化物覆盖，其中，沟槽中未被第一氧化物覆盖的空腔由与第一氧化物不同的第二氧化物完全填满。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610034564.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于软交换架构的NGN网络中实现终端漫游及管理方法
- 下一篇：一种测试治具
