[发明专利]发光二极管的制造方法及由此制成的发光二极管有效
申请号: | 201610034668.7 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105810783B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 林容撤;朴成柱 | 申请(专利权)人: | 光州科学技术院 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/44 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 严政;刘兵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了发光二极管的制造方法及由此制成的发光二极管。更具体而言,涉及发光二极管的制造方法,包括如下步骤:在发光结构物上形成凹凸图案;在所述凹凸图案上移植纳米球层;对其进行干法刻蚀,以在所述凹凸图案的表面上形成布置有多个纳米突起的层次表面结构;进行用于降低表面能的化学涂料。根据本发明,通过纳米球刻蚀和干法刻蚀工艺在周期性地布置的凹凸图案表面上能容易形成具有多个纳米突起的层次表面结构,因此,能够简化制造工艺,提高制造良率。并且,借助层次表面结构,能够提高发光二极管的光输出(光提取)及光均匀性。而且,针对水和油提供超防水性和超防油性的湿润特性,从而能够提供自清除附着于表面上的污染源的功能,因此,当实际使用发光二极管时可以防止因污染源导致的光效率减少,且提高元件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制造 方法 由此 制成 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在基板上形成依次层叠有第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层的发光结构物;在所述发光结构物上形成凹凸图案;在所述凹凸图案上移植纳米球层;及对所述纳米球层进行干法刻蚀,以在所述凹凸图案的表面上形成布置有多个纳米突起的层次表面结构;其中,在所述凹凸图案上移植纳米球层的步骤包括:将分布有可自行组装的多个纳米球粒子的溶液涂布于支撑基板上;通过使所述多个纳米球粒子凝胶晶化,以在所述支撑基板上形成具有胶晶结构的纳米球层;以及将形成的纳米球层从所述支撑基板上分离,并将分离的纳米球层贴附在所述凹凸图案上,之后进行压制。
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