[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效
申请号: | 201610034741.0 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN106024682B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 置田尚吾;针贝笃史;松原功幸 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种等离子处理装置,对保持于输送载体的基板进行等离子处理,输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架,基板保持于保持片,等离子处理装置具备:反应室;配置在反应室的内部,搭载输送载体的工作台;具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构;在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部;和使支撑部相对于工作台升降的升降机构,1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时,保持片的外周部与工作台接触前,静电吸附机构开始向电极部施加电压,或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极,在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时,静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子处理装置,对被保持于输送载体的基板进行等离子处理,所述输送载体具备保持片和被配置在所述保持片的外周部的框架,所述基板被保持于所述保持片,所述等离子处理装置具备:反应室;工作台,其被配置在所述反应室的内部,用于搭载所述输送载体;静电吸附机构,其具备被设置在所述工作台内部的电极部;支撑部,其在所述工作台上的搭载位置与从所述工作台向上方脱离的交接位置之间支撑所述输送载体;和升降机构,其使所述支撑部相对于所述工作台升降,在使所述支撑部下降来将所述输送载体搭载于所述工作台的情况下,在所述保持片的所述外周部与所述工作台接触之前,所述静电吸附机构开始向所述电极部施加电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造