[发明专利]三极管基区的制作方法有效
| 申请号： | 201610035661.7 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981421B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马万里;石金成 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种三极管基区的制作方法，包括：刻蚀预设P‑基区上方的部分第一多晶硅层以及所述部分第一多晶硅层上方的全部第二氮化硅层；对刻蚀后保留的部分所述第一多晶硅层进行氧化形成第二氧化层；通过湿法腐蚀去除所述第二氧化层。本发明所提供的一种三极管基区的制作方法，在刻蚀外延层表面的多晶硅时，留下少部分多晶硅层，并将留下的少部分多晶硅层在氧化后通过湿法腐蚀去除，所以本发明所提供的三极管基区的制作方法避免了现有干法刻蚀多晶硅层时对外延层的损伤，本发明通过湿法腐蚀去除氧化后的多晶硅层，不会造成对外延层表面的损伤，因此采用本发明制作三极管器件，优化了三极管器件的电学性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种三极管基区的制作方法，其特征在于，刻蚀预设P‑基区上方的部分第一多晶硅层以及所述部分第一多晶硅层上方的全部第二氮化硅层；对刻蚀后保留的部分所述第一多晶硅层进行氧化形成第二氧化层；通过湿法腐蚀去除所述第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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