[发明专利]一种场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201610035664.0 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981515B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置。本发明还提供了一种场效应晶体管的制作方法。本发明通过多晶硅层部分覆盖场区氧化层，并在源漏区外围制作出与所述多晶硅层部分相对设置的阱区，从而使得在测试场管的阈值电压时，不会造成栅极氧化层的击穿，从而使得测试结果准确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，其特征在于，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置；其中，与所述多晶硅层的部分区域相对设置的所述阱区具有2个。
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