[发明专利]一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及功能薄膜材料的技术领域，特别是涉及一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法，该透明导电薄膜为BaSnO3/Cu/BaSnO­3的夹层结构，即包括依次层叠的BaSnO3薄膜层、Cu薄膜层和BaSnO3薄膜层。该夹层结构透明导电薄膜的制备方法包括步骤一，将BaSnO3靶材和Cu靶材装入磁控溅射系统的腔体内；步骤二，在衬底上进行沉积得到BaSnO3薄膜层；步骤三，在BaSnO3薄膜层上溅射Cu薄膜层；步骤四，在Cu薄膜层上溅射BaSnO3薄膜层，制得夹层结构透明导电薄膜。该夹层结构透明导电薄膜具有成本低、电阻率低、导电性能好、厚度薄、化学稳定性好、且与衬底之间的吸附性强的优点。

主权项

一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜为BaSnO3/Cu/BaSnO3的夹层结构，即包括依次层叠的BaSnO3薄膜层、Cu薄膜层和BaSnO3薄膜层；所述的一种夹层结构透明导电薄膜的制备方法，它包括以下步骤：步骤一，将BaSnO3靶材和Cu靶材装入磁控溅射系统的腔体内；步骤二，将磁控溅射系统的腔体抽至一定的真空度，然后使用氩氧混合气或者氩气作为溅射气体用以溅射BaSnO3靶材，在一定的溅射功率下在衬底上进行沉积得到BaSnO3薄膜层；步骤三，在一定的溅射功率下在步骤二得到的BaSnO3薄膜层上溅射Cu薄膜层；步骤四，在一定的溅射功率下在步骤三得到的Cu薄膜层上溅射BaSnO3薄膜层，制得夹层结构透明导电薄膜；所述步骤二中，所述磁控溅射系统的真空度为0.1×10‑3Pa~1.0×10‑3Pa；所述步骤二中，所述氩氧混合气中，氧气和氩气的摩尔比为0.1~0.5:1；所述氩氧混合气或者所述氩气的压强为0.3 Pa~3 Pa；所述步骤二、步骤三和步骤四中，所述溅射功率均为30W~100W；所述BaSnO3靶材和所述Cu靶材分别与所述衬底之间的距离为30mm～100mm。