[发明专利]一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构有效
| 申请号： | 201610036745.2 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105679628B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 佘峻聪;罗来堂;曹涛;邓少芝;许宁生;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J29/48 | 分类号： | H01J29/48;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 张月光 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构，该器件结构由发射体和电极构成；所述发射体由两段一维纳米材料组成，其一段为用于发射电子的N型掺杂半导体，另一段为P型掺杂半导体，或者是能与所述N型掺杂半导体形成肖特基接触的金属；所述两段一维纳米材料接触形成PN结或肖特基结，所述PN结或肖特基结突出于衬底表面；该器件结构的反偏置纳米结具有限流效应，可抑制场发射电流波动，同时电极施加的电场在纳米结结区的贯穿效应使纳米结的电阻随电场的增大而减小，提高发射体的耐压（耐流）能力，改善器件的可靠性并减弱由于结电阻压降而导致的驱动电压过高及功耗过大的问题，且有利于提高阵列中发射体场发射特性的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏置 纳米 致电 发射 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构，其特征在于，该器件结构由发射体和电极构成；所述发射体由两段一维纳米材料组成，其一段为用于发射电子的N型掺杂半导体，另一段为P型掺杂半导体，或者是能与所述N型掺杂半导体形成肖特基接触的金属；所述两段一维纳米材料接触形成PN结或肖特基结，所述PN结或肖特基结突出于衬底表面，所述一维纳米材料的直径小于200 nm，PN结或肖特基结外表面电场强度大于107 V/m。
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