[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610037020.5 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105810566B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 朴善钦;金成玟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包括：在基底上顺序地堆叠硬掩模层、第一牺牲层和第二牺牲层；通过蚀刻第二牺牲层在第一牺牲层上形成第一芯轴；在第一芯轴的侧壁上形成第一间隔件；形成在已经去除第一芯轴的区域之外设置的光致抗蚀剂图案；通过使用第一间隔件和光致抗蚀剂图案作为各自的蚀刻掩模蚀刻第一牺牲层来形成第二芯轴和第三芯轴；在第二芯轴和第三芯轴的侧壁上形成第二间隔件和第三间隔件；通过蚀刻硬掩模层和基底的至少一部分来形成具有第一节距的第一有源图案和具有第二节距的第二有源图案；以及形成装置隔离层以使第一有源图案和第二有源图案的上部分突出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上顺序地堆叠硬掩模层、第一牺牲层和第二牺牲层；蚀刻第二牺牲层以在第一牺牲层上形成第一芯轴；在第一芯轴的侧壁上形成第一间隔件；形成设置在去除第一芯轴的区域之外的光致抗蚀剂图案，其中，所述光致抗蚀剂图案与第一间隔件隔开并且具有比第一间隔件的线宽大的线宽；使用第一间隔件和光致抗蚀剂图案作为各自的蚀刻掩模蚀刻第一牺牲层来分别形成第二芯轴和第三芯轴；在第二芯轴的侧壁上形成第二间隔件并在第三芯轴的侧壁上形成第三间隔件；通过使用第二间隔件和第三间隔件作为各自的蚀刻掩摸蚀刻硬掩模层和基底的至少一部分，来形成具有第一节距的第一有源图案和具有比第一节距大的第二节距的第二有源图案；以及形成装置隔离层，以使第一有源图案和第二有源图案的上部分从其突出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
