[发明专利]双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610037070.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105514801A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 于丽娟;刘建国;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双沟宽脊型半导体光放大器，包括衬底以及生长其上的外延层，外延层上部包括n型波导层、n型波导层上部的有源区量子阱层、有源区量子阱层上部的p型包层和欧姆接触层，其中所述欧姆接触层部分区域垂直向下刻蚀至n型波导层中，形成双沟限制的脊型结构，所述双沟为两条互相平行的沟槽。脊型结构的宽度与所述脊型波导的厚度近似相等。本发明采用波导耦合的方式，用平面波导做滤波器，实现了大模式体积下的单模输出，提高了输出功率，同时也提高了耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 双沟宽脊型 半导体 放大器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双沟宽脊型半导体光放大器，包括衬底以及生长其上的外延层，外延层上部包括n型波导层、n型波导层上部的有源区量子阱层、有源区量子阱层上部的p型包层和欧姆接触层，其特征在于：在所述欧姆接触层部分区域垂直向下刻蚀至n型波导层中，形成双沟限制的脊型结构，所述双沟为两条互相平行的沟槽。
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