[发明专利]电池的电压校正方法、电池监测设备、半导体芯片和车辆在审
| 申请号： | 201610037137.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105842625A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 横田纯也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/36 | 分类号： | G01R31/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及电池的电压校正方法、电池监测设备、半导体芯片和车辆。高精度地测量电池单元的电压。根据一个实施例，包括在第一半导体芯片31中测量电池单元21a的电压的处理、在第一半导体芯片31中测量电池监测部件31b的温度的处理、在第二半导体芯片32中从第一半导体芯片31获取电池单元21a的电压的处理、在第二半导体芯片32中从第一半导体芯片31获取电池监测部件31b的温度的处理以及在第二半导体芯片32中基于电池监测部件31b的温度和电压校正数据来计算电池单元21a的电压的校正值以根据电池监测部件31b的温度的变化来校正电池单元21a的电压测量误差并基于校正值来校正电池单元21a的电压的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 电压 校正 方法 监测 设备 半导体 芯片 车辆 | ||
【主权项】：
一种电池监测设备中的电池单元的电压校正方法，所述电池监测设备包括：第一半导体芯片，包括电池监测部件，所述电池监测部件监测所述电池单元的电压；以及第二半导体芯片，包括操作部件，所述电压校正方法包括以下处理：在所述第一半导体芯片中测量所述电池单元的电压；在所述第一半导体芯片中测量所述电池监测部件的温度；在所述第二半导体芯片中从所述第一半导体芯片获取所述电池单元的电压；在所述第二半导体芯片中从所述第一半导体芯片获取所述电池监测部件的温度；以及在所述第二半导体芯片中，基于所述电池监测部件的温度以及电压校正数据来计算所述电池单元的电压的校正值，以根据所述电池监测部件的温度的变化来校正所述电池单元的电压测量误差，并且基于所述校正值来校正所述电池单元的电压。
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