[发明专利]半导体衬底和包括其的半导体器件有效
| 申请号： | 201610037286.X | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105826387B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 梁炆承;崔恩惠;金善政;李承勋;李炫姃 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：底部衬底；所述底部衬底上的第一硅锗层；所述第一硅锗层上的第二硅锗层，所述第二硅锗层的锗分率在离开所述底部衬底的方向上减小，并且所述第二硅锗层在其最下面部分的锗分率大于所述第一硅锗层的最上面部分的锗分率；以及布置在所述第二硅锗层上的栅电极。
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