[发明专利]一种电场辅助低温快速烧结多孔陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201610037586.8 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105645987B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王一光;刘金玲;陈意高;刘佃光 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/48;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电场辅助低温快速烧结多孔陶瓷的方法，将多孔陶瓷坯体升温至合适的温度，然后加上合适的电场强度，可实现陶瓷的快速烧结。可以根据不同的多孔陶瓷材料选择不同的电场强度条件。电场能激发物质的传输过程，提高粒子活度和扩散迁移速率，使陶瓷颗粒迅速烧结，能有效的降低烧结温度和烧结时间。这种电场辅助低温快速烧结的方法能获得高强度和高气孔率的多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 快速烧结 电场辅助 多孔陶瓷 烧结 电场强度条件 多孔陶瓷材料 多孔陶瓷坯体 传输过程 陶瓷颗粒 电场能 高气孔 活度 粒子 迁移 陶瓷 扩散 激发 | ||
【主权项】：
1.一种电场辅助低温快速烧结多孔陶瓷的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将含有气孔的陶瓷坯体加热到临界温度；所述临界温度为在施加电场强度的条件下恰好发生快速烧结的温度；步骤2：对陶瓷坯体施加一个电流形成临界电场，并且持续≥10s，小于20min的时间完成多孔陶瓷的烧结；所述临界电场是能发生快速烧结的电场强度；所述含有气孔的陶瓷坯体的气孔率为70％～90％；所述施加电流密度J为：5mA/mm2≤J≤1A/mm2。
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