[发明专利]X射线平板探测器的像素结构及其制备方法、摄像系统

摘要

本发明公开了一种X射线平板探测器的像素结构及其制作方法、摄像系统，该X射线平板探测器的像素结构包括设置在衬底上的至少一个像素信号读出电路，以及设置在所述像素信号读出电路上的传感器；所述传感器包括闪烁层和设置在所述闪烁层正下方的光电转换器件，各所述像素信号读出电路设置于所述光电转换器件的下方。通过将各像素信号读出电路设置于光电转换器件的下方，相对于现有技术中将光电转换器件与开关晶体管并行设置，在不增加像素面积的同时，增大了光电转换器件的感光面积，提高了图像采集能力。 1

主权项

1.一种X射线平板探测器的像素结构，其特征在于，包括设置在衬底上的至少一个像素信号读出电路，以及设置在所述像素信号读出电路上的传感器；

所述传感器包括闪烁层和设置在所述闪烁层正下方的光电转换器件，各所述像素信号读出电路设置于所述光电转换器件的下方；

所述像素信号读出电路包括第一读出电路，所述第一读出电路包括触控芯片和触控电路，所述触控电路包括多条感应电极和多条驱动电极；

所述感应电极在接收到来自所述光电转换器件的图像电荷时产生感应信号；

所述触控芯片与所述触控电路连接，用于向多条所述驱动电极发送驱动信号，以及检测多条所述感应电极的感应信号，并确定驱动电极和感应电极之间的电容的变化量。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述传感器中的闪烁层和光电转换器件在衬底上的投影重叠。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述触控电路为电容式触控电路。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第二读出电路，所述第二读出电路为开关晶体管，所述开关晶体管的漏极和源极中的一个与所述光电转换器件的输出端相连。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括第二读出电路，所述第二读出电路为开关晶体管，所述开关晶体管的漏极和源极中的一个与所述光电转换器件的输出端相连；所述第二读出电路和第一读出电路分别设置在所述衬底上，且两者无交叠区域。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述闪烁层为柱状排列的晶体阵列，所述闪烁层的厚度为400‑1000um。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括设置在所述光电转换器件和所述闪烁层之间的透明保护层。

8.一种基于权利要求1‑7中任一项所述的X射线平板探测器的像素结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成至少一个像素信号读出电路；

在所述像素信号读出电路上形成传感器；

其中，所述传感器包括闪烁层以及设置在所述闪烁层正下方的光电转换器件，各所述像素信号读出电路设置于所述光电转换器件的下方。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成至少一个像素信号读出电路，包括：

在所述衬底上形成第一读出电路的步骤；

其中，所述第一读出电路包括触控芯片和触控电路，所述触控电路包括多条感应电极和多条驱动电极；所述触控芯片与所述触控电路连接，用于向多条所述驱动电极发送驱动信号，以及检测多条所述感应电极的感应信号，并确定驱动电极和感应电极之间的电容的变化量。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成至少一个像素信号读出电路，包括：

在所述衬底上形成第二读出电路的步骤；

其中，所述第二读出电路和第一读出电路无交叠区域，所述第二读出电路为开关晶体管，所述开关晶体管的漏极和源极中的一个与所述光电转换器件的输出端相连。

11.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括如权利要求1‑7中任一项所述X射线平板探测器的像素结构。

12.一种摄像系统，其特征在于，包括如权利要求11所述的X射线平板探测器。