[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201610038035.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105489709B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张为国;刘超;刘成法;张松;陈寒;夏世伟;季海晨 | 申请（专利权）人： | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 201615 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PERC太阳能电池及其制备方法。上述PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤对硅片依次进行双面抛光、制绒、扩散、刻蚀和去杂质玻璃、高锰酸氧化；背面沉积钝化层以及保护层；正面沉积减反射层；背面局部开口、印刷正背面金属浆料以及烧结，得到PERC太阳能电池。与传统的PERC太阳能电池的制备方法相比，本发明的PERC太阳能电池的制备方法，在硅片制绒之前先进行双面抛光，便于后续制绒；同时，在背面沉积钝化层以及保护层之前对去杂质玻璃之后的硅片进行氧化，起到钝化作用。均能降低结区复合，提高开路电压，能够提高产品良率。同时，本发明基于常规工艺，产品良率高。此外，上述PERC太阳能电池根据上述PERC太阳能电池的制备方法制备而成。 | ||
| 搜索关键词： | perc 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅片依次进行双面抛光、制绒、扩散、刻蚀和去杂质玻璃、高锰酸氧化；背面依次沉积钝化层以及保护层；正面沉积减反射层；背面局部开口、印刷正背面金属浆料以及烧结，得到PERC太阳能电池；所述高锰酸氧化步骤中，氧化的时间为5min～30min，氧化的温度为50℃～80℃；高锰酸的体积分数为50％～80％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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