[发明专利]一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件有效
申请号: | 201610039249.2 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105702753B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲 | 申请(专利权)人: | 重庆科技学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)50223 | 代理人: | 王玉芝 |
地址: | 401331*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件,包括衬底,所述衬底上沉积铁电薄膜,该铁电薄膜的极化方向垂直于其表面,消除铁电薄膜器件的光伏效应中退极化场的贡献;所述铁电薄膜上沉积有呈正多边形的中心电极,铁电薄膜上还沉积有多个正多边形的边缘电极,边缘电极的数量与所述中心电极的边数相等,边缘电极阵列在中心电极的周围,中心电极的每条边与相邻的边缘电极的边平行且间隔距离为L,所述边缘电极和中心电极的材料相同且同时制备,消除铁电薄膜器件的光伏效应中肖特基势垒的贡献。特别是铁电薄膜为T相时,还可消除铁电薄膜器件的光伏效应中畴壁的贡献,从而得到具有体光伏效应的铁电薄膜器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 体光伏 效应 薄膜 器件 | ||
【主权项】:
一种具有体光伏效应的铁电薄膜器件,其特征在于:包括衬底(1),所述衬底(1)上沉积铁电薄膜(2),该铁电薄膜(2)的极化方向垂直于其表面;所述铁电薄膜(2)上沉积有呈正多边形的中心电极(3),铁电薄膜(2)上还沉积有多个正多边形的边缘电极(4),边缘电极(4)的数量与所述中心电极(3)的边数相等,边缘电极(4)阵列在中心电极(3)的周围,中心电极(3)的每条边与相邻的边缘电极(4)的边平行且间隔距离为L,所述边缘电极(4)和中心电极(3)的材料相同且同时制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的