[发明专利]TFT阵列基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供的一种TFT阵列基板结构及其制作方法，采用下氮化硅层(31)、氧化硅层(32)、和上氮化硅层(33)三层结构的层间介电层(3)，下氮化硅层(31)含氢为氢化工艺提供氢离子，上氮化硅层(33)提升层间介电层(3)对杂质离子的隔绝防护能力，相比于现有技术中仅包括一氧化硅层与一氮化硅层的双层结构的中间介电层，能够在不影响氢化效果的前提下，提升层间介电层对杂质离子的隔绝防护能力，避免杂质离子污染的风险，缩短氢化时间，提升产能。

主权项

一种TFT阵列基板结构，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的第一金属层(2)、覆盖所述第一金属层(2)的层间介电层(3)、及设于所述层间介电层(3)上第二金属层(4)；所述层间介电层(3)包括设于所述第一金属层(2)上的下氮化硅层(31)、设于所述下氮化硅层(31)上的氧化硅层(32)、及设于所述氧化硅层(32)上的上氮化硅层(33)；所述下氮化硅层(31)含氢。